Seguramente te ha pasado que en importantes momentos en los que necesitas transferir archivos a memorias flash, esos dispositivos parecen funcionar demasiado lento. Pues no te desesperes, porque pronto remplazaríamos los actuales chips NAND por otros de tecnología ReRAM (Resistive RAM) mucho más veloces. Compañías como Elpida, Sharp y Panasonic ya tendrían chips basados en esta tecnología que permitirá transferir datos a una velocidad 100 veces más rápida que la posible con memorias flash convencionales, según comprobaron investigadores de la University College London.

La memoria ReRAM (Resistive RAM) no es un simple chip de almacenamiento, porque podría usarse también para procesar datos gracias a una característica que les da el nombre de "memristors", y hasta ofrecerían la posibilidad de crear chips transparentes. Estas memorias de óxido de silicio también necesitan menos espacio y electricidad que los chips NAND, haciéndolas ideales para su uso en dispositivos móviles. Sin nada negativo que contarte, seguramente ya estarás salivando y haciendo ruiditos pensando en los primeros productos que la integrarán.

Los frikis de las memorias USB (sabemos que sois unos cuantos los que nos leéis) seguramente recordaran el lanzamiento de las célebres TransMemory de Toshiba allá por 2007. Bien, pues el fabricante japonés se ha dejado caer estos días por Las vegas para presentarnos sus nuevos productos TransMemory-EX, que deberían hacer las delicias de todos aquellos usuarios que requieran velocidad y capacidad.

Estos pendrives USB 3.0 utilizan los nuevos chips de memoria DDR NAND de Toshiba, ofreciendo una velocidad de 220 MB/s en modo de lectura y de 94 MB/s en escritura, lo que en otras palabras quiere decir que corren 22 y 18 veces más respectivamente que los modelos anteriores. Para poner las cosas más claras, 25 GB de vídeo podrían transferirse teóricamente en cuestión de cinco minutos, cuando antes la misma operación hubiera necesitado media hora. Lamentablemente nada se ha dicho por ahora de su precio, así que estas son las únicas cifras que podemos compartir contigo.

Parece mentira, pero ya ha pasado más de un año desde que Seagate lanzó su disco híbrido Momentus XT... lo que implica que ya iba siendo hora de darle un sucesor. La nueva generación mantiene el nombre comercial del modelo, pero aumenta la capacidad de los platos hasta 742 GB, y la parte NAND de la unidad alcanza 8 GB. Otros detalles destacables son el uso de 32 MB de caché y la aparición de un nuevo conector SATA III de 6 Gbps.

En estos momentos no tenemos todavía cifras de rendimiento, pero gracias al uso de esos 8 GB de memoria flash, tu PC será sensiblemente más rápido conforme el sistema "aprenda" qué archivos son los más utilizados y los mueva a la "zona VIP" del disco. Si los discos duros convencionales no te ofrecen el rendimiento que necesitas y las unidades SSD se van totalmente de tu presupuesto, el nuevo Momentus XT ya te está esperando a un precio de 189 dólares en Estados Unidos.

Ha llovido ya bastante desde que escuchamos hablar por primera vez de los esperados chips NAND de triple nivel, que por fin, están a punto de materializarse para mayor alborozo de los consumidores. OCZ ha anunciado que espera lanzar la primera unidad SSD con esta tecnología a comienzos del próximo año, consiguiendo una reducción del precio del 30% con respecto a los discos MLC, a su vez más económicos que los SLC. A cambio de un coste más asequible, los consumidores deberán tener en cuenta que la vida útil de estas SSD podría ser de un mínimo de cuatro años, si bien se espera que a lo largo de 2012 aparezcan unidades que deberían funcionar durante el doble antes de dar algún tipo de problema.

No es la primera vez que Super Talent nos tienta con la velocidad supersónica de sus sistemas de almacenamiento, pero insiste en que ahora tiene las herramientas y los benchmarks para demostrarlo mejor que nunca. Su raudo USB 3.0 RC8 presume de alcanzar tasas de lectura de 270 MB/s y 240 MB/s en escritura (en condiciones óptimas y siempre y cuando el equipo te acompañe, claro). Para ello, bajo su caparazón dispone de un controlador SandForce SSD que aunque es de primera generación, permite el uso simultaneo de 8 canales de memoria NAND. En resumidas cuentas, en realidad sí que se trata de un disco SSD, aunque en miniatura. Por el momento no hay datos oficiales sobre su precio o su disponibilidad, pero se rumorea que llegará en tamaños de 25, 50 y 100 GB. ¿Llegará a tiempo antes de que se saquen de la manga una versión compatible con Thunderbolt?

[Vía AnandTech, FarEastGizmos]

El mercado de los SSD acaba de expandirse aún poco más con la presentación hace apenas unos instantes de un nuevo ahijado de Buffalo. La unidad en cuestión se denomina N256S/MC400, cuenta con 256 GB de almacenamiento, interfaz SATA de 6 GBps y memoria NAND Flash de células multinivel. Con respecto a sus tasas de transferencia, su ficha técnica arroja unas velocidades de 405 MB/s en lectura y 223 MB/s en escritura. ¿Pensando en que es justo lo que necesitas para dar un empujoncito extra a tu ordenador? En ese caso debes saber que ya puedes ir concertando una cita con tu importador de confianza, pues se pondrá a la venta en Japón esta misma semana por un precio equivalente a 882 dólares/624 euros.

[Vía Akihabara News]

Texas Memory Systems ha presentado estos días su nueva apuesta para el mercado SSD, la RamSan-70, una tarjeta PCIe que presume triplicar la velocidad de sus contrincantes, pero midiendo tan solo la mitad. Está disponible en versiones de entre 450 y 900 GB (apodada "Gorilla"), con memoria flash NAND SLC de alta velocidad y la promesa de una increíble tasa de transferencia externa sostenida de hasta 2 GB por segundo. Por si esto fuera poco, sus creadores le auguran una vida útil de entre 6 y 10 años, siendo su cometido principal instalarse en servidores de gama alta -aunque sabemos que no te importaría hacerle un hueco en tu sobremesa si pudieras permitirte una. El problema es que por el momento su precio es todo un misterio y teniendo en cuenta su carta de presentación, ya puedes irte mentalizando de que no será precisamente barata cuando llegue a las tiendas dentro de unas cuatro u ocho semanas.

[Vía Computerworld]

Los rumores sobre las supuestas características técnicas de la sucesora de la Wii no dejan de llegar, y tal es su flujo, que para cuando Nintendo quiera correr el telón la sorpresa estará en el nombre. O tal vez ni eso. A las informaciones sobre su mando-pantalla, potencia gráfica y fecha de lanzamiento se suman ahora dos nuevos datos de gran importancia: la capacidad de almacenamiento interna, y el tamaño de los discos.

Según afirma saber Kotaku, el Project Cafe, que es el nombre en clave de esta máquina todavía por bautizar oficialmente, equipará unos escuetos 8 GB de memoria flash, dejando los discos duros de platos y alta capacidad para la competencia. En comparación con los misérrimos 512 MB de la Wii puede parecer una barbaridad, pero si los ponemos frente a los 250 GB de una Xbox 360 o a los 320 de una PS3, está claro que no sólo Nintendo quiere volver a ahorrar en medida de lo posible, sino que no parece que esté interesada en la venta de juegos "completos" vía internet. Habrá espacio para juegos pequeñitos, partidas salvadas, algún que otro parche... y parece que puedes dejar de contar.

Por otro lado, los discos que utilizará la consola tendrán una capacidad de 25 GB, triplicando la capacidad de los DVD de Xbox 360, y quedando muy cerca de los Blu-ray de una sola capa usados por la PS3. Lo que irremediablemente da pie a la pregunta: ¿estaremos hablando de un formato estándar tipo BR o de un nuevo disco propietario al estilo GC con el que evitar, o al menos mitigar la piratería? La respuesta a estas y otras preguntas, el 7 de junio, en el E3.

¿Recuerdas que te anunciamos que Intel y Micron comenzarían un proceso de fabricación de NAND Flash de 20 nm? Pues bien, no ha pasado mucho tiempo antes de que Sandisk y Toshiba hayan hecho público el primer producto fruto de su acuerdo: se trata de un chip X2 de 19 nm 64 Gb (8 GB), o lo que es lo mismo, la memoria NAND Flash más pequeña del mundo. Entrará en proceso de fabricación durante la segunda mitad del año, pero contarán con la primera muestra este mismo trimestre.

El año pasado quedamos muy asombrados al enterarnos del proceso de fabricación de 25nm, que en estos instantes ha pasado a ser una cosa del pasado debido a un nuevo método aún más sofisticado. Intel y Micron anuncian que han reducido la tecnología de producción de memorias NAND Flash a los 20nm, con lo que ahora comprimirán el espacio de cada placa entre un 30 y 40 por ciento adicional. Esto significa que una placa NAND de 8GB medirá sólo 118 mm2, lo que quiere decir que las SSDs ofrecerán aún más espacio de almacenamiento en un mismo espacio físico. Esperan empezar con la fabricación en masa durante la segunda mitad de 2011, cuando mostrarán un dispositivo de 16GB que permitirá tener SSDs de 128GB del tamaño de un sello de correos.

Quizá te preguntes cómo está funcionando la combinación del interfaz SATA 6Gbps y su controlador Marvell con los últimos SSD de Intel. Pues muy bien: comparado con el rapidísimo Vertex 3 de OCZ, el SSD 510 de 250GB de Intel sabe defenderse, e incluso se pone por delante en algunas situaciones. La utilización de los chips de Marvell ha mejorado el rendimiento secuencial, en detrimento de las velocidades de lectura aleatorias – estas últimas más útiles a priori en el uso diario. Pese a su precio, 584 dólares/417 euros, esta unidad se define como una de las mejores opciones para los consumidores más exigentes, y aumenta la expectación hacia los próximos dispositivos de almacenamiento de 25nm de Intel, aún por llegar. Como dicen en AnandTech: "Esta generación de SSD no sólo usará todo el ancho de banda del SATA 6Gbps, sino que los necesitará para poder funcionar".

Leer - AnandTech
Leer - PC Perspective

Se ha hablado mucho sobre la manera en la que Apple ha movido dinero últimamente; en específico, la gente rumorea sobre el destino de una "inversión estratégica" de 3.900 millones de dólares que nadie fuera de la compañía sabe a dónde fue a àrar. Ahora aparece información publicada en el Korea Economic Daily que habla de 7.800 millones de dólares invertidos en componentes provenientes de Samsung, que incluirían pantallas, procesadores de aplicaciones y chips de memoria NAND, que seguramente serán usados en iPhones y iPads. Además indican que con esto Apple se convertiría en el cliente más grande de Samsung, sobreentendiendo que los negocios entre estos dos gigantes de la tecnología no son nuevos, porque ya hemos visto muchos componentes de la empresa coreana en aparatos de la manzanita.

A pesar de que las memorias SSD proporcionan muchas ventajas, todavía presentan varios problemas, como fallos de transmisión de información y deterioros con el pasar del tiempo. Micron pretende solucionar algunos de estos inconvenientes con una tecnología denominada ClearNAND, que permitirá la transmisión de información a mayor velocidad y dejará al procesador libre para que se haga cargo de otro tipo de de cálculos. Con esto, la función de corrección de errores (ECC) se realizará en la misma memoria, por medio de un controlador incluido. El fabricante informa que las nuevas unidades ya están disponibles, en tamaños de 25nm. Podrás obtener más información viendo el video después del salto.

[Vúa PhysOrg]

Normalmente cuando compramos un dispositivo, los más golosos suelen optar por el modelo de mayor capacidad sin pensar verdaderamente hasta que punto va a aprovechar los gigas disponibles. Para desconcertar más a estos usuarios, Toshiba ha presentado sus nuevas memorias con las que dar un buen empujón a los terminales móviles, superando en nada más y nada menos que hasta cuatro veces la capacidad máxima por chip ofrecida hasta el momento.

128 GB por chip en sólo 1,4 milímetros de altura gracias a la tecnología de 32nm, unas memorias NAND Flash que comenzarán a distribuirse a los fabricantes a partir de septiembre. ¿Te imaginas el Motorola de los 2 GHz con estas memorias?

[Vía Electronista]

Hay que ver cómo evolucionan las cosas: no hace mucho tiempo suspirábamos por los procesos de fabricación de 45nm y ahora nos encontramos con que Samsung sigue a Toshiba en su anuncio de fabricar memorias por debajo de 25nm. La solución que plantea Samsung en esta ocasión son memorias MLC NAND de 20nm y 32GB, para ser integradas en memorias y tarjetas SD en un rango de entre 4 y 64GB.

Por otro lado, se aumenta la densidad y se reducen los costes de fabricación. El propio fabricante asegura que esta memoria es más fiable y hasta un 30% más rápidas que los chips MLC 30 nm que equipan las actuales SD de 8GB. Estas memorias serán, además, más baratas cuando salgan a la venta este año.