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Samsung anuncia oficialmente el primer SSD con memoria 3D V-NAND

Samsung anuncia oficialmente el primer SSD con memoria 3D V-NAND
Samsung comenzó hace una semana con la producción de un nuevo (y especial) módulo de memoria para unidades de estado sólido, y hoy ha querido presentar con todos los honores el primer disco comercial en hacer uso de ellos. Hablamos de la primera memoria sólida con tecnología NAND Vertical (V-NAND) 3D, un SSD diseñado para el entorno corporativo (servidores empresariales y centros de datos) que se ofrece en capacidades de 480 y 960 GB. Estas nuevas NAND ofrecen tres capas apiladas verticalmente para obtener así una mayor densidad de almacenamiento (hasta 128 GB por chip). El rendimiento también se incrementa; hasta un 20% en velocidades de escritura secuencial y aleatoria en el caso de la versión con 960 GB de almacenamiento.

A pesar del destino empresarial de estas unidades SSD, Samsung promete que en el futuro lanzarán también modelos destinados al usuario medio. Así que ya sabes, paciencia.

[Más información V-NAND: MadBoxPC]

Samsung presenta la memoria integrada más rápida del mundo con eMMC 5.0

Sólo ocho meses después de presentar sus nuevas memorias de 64 GB con controladores eMMC PRO 4.5, Samsung ha presentado una nueva versión que se coloca como la memoria integrada más rápida del mundo. Ello es posible gracias a la utilización de chips NAND de 64 GB con tecnología de 10 nm, siendo los primeros es soportar el estándar eMMC 5.0. Los chips estarán disponibles en versiones de 16, 32 y 64 GB y contarían con una interfaz de 400 MB/s. Los modelos de 32 y 64 GB ofrecerían velocidades de lectura y escritura de 7.000 IOPS y velocidades secuenciales de lectura y escritura de 250 y 90 MB/s respectivamente.

Visto lo visto, se trata de memorias especialmente diseñadas para su uso en multitarea, navegación, transferencia de archivos, captura de vídeo en HD, etc, y se postulan como el complemento perfecto para acompañar al Exynos 5 Octa 5420 de la compañía.

Toshiba mira de reojo al 4K con sus nuevas CompactFlash de hasta 160 MB/s

Toshiba mira de reojo al 4K con sus nuevas CompactFlash de hasta 160 MB/sToshiba quiere lanzarse de cabeza a la piscina del 4K y para ello tiene pensado estrenar mañana en Japón un nuevo modelo en su serie Exceria Pro de tarjetas CompactFlash. Dicha unidad se presenta en versiones de 32 y 64 GB, y pueden alcanzar tasas de transferencia de hasta 160 MB/s en lectura y 150 MB/s en escritura gracias al estándar UDMA7 y su propio firmware (de hecho el fabricante saca pecho diciendo que son las más rápidas del momento). Para que te hagas una mejor idea de su potencial, estas tarjetas cuentan además con la certificación "video performance guarantee profile 2" (VPG-65), es decir, que prometen mantener una velocidad de 65 MB/s, de ahí que Toshiba indique que deberían funcionar correctamente con la mayoría de cámaras 4K que dispongan de ranura para este tipo de almacenamiento -y ni que decir tiene que también podrán aguantar bien el ritmo con cualquier captura en RAW o vídeo en alta definición que le pongas por delante. La pega del asunto es que de momento no tenemos noticias de su llegada a otros mercados, así que paciencia.

Samsung comienza con la producción de sus chips de memoria NAND flash de 3 bits y 128 gigabits

Samsung comienza con la producción de sus chips de memoria NAND flash de 3 bits y 128 gigabits
Samsung sigue empeñada en mejorar las memorias de alta densidad de nuestros equipos su siguiente paso para lograrlo ha sido anunciado hoy mismo. La casa acaba de desvelar que sus memorias NAND flash multinivel de 3 bits, 128 gigabits y 10 nanómetros ya están listas para llegar a producción. Semejante trabalenguas de características viene simplemente a decir que estamos ante unos chips capaces de almacenar mucha más memoria por cada celda, con el plus de contar con un tamaño menor. Según indica el fabricante en la nota de prensa emitida para la ocasión, estas unidades son capaces de soportar hasta 400 Mbps, convirtiéndose en las de mayor densidad de la industria. Su principal salida es instalarse en las tarjetas de memoria de 128 GB y las unidades SSD de la firma surcoreana, pero según sus creadores también podrán adaptarse a cualquier otro equipo que necesite almacenamiento NAND, así que suponemos que en breve las tendremos hasta en la sopa.

Leer - Samsung Tomorrow
Leer - Nota de prensa

Seagate y DensBits se asocian para lanzar discos SSD asequibles

Este es un gran momento para comprar un disco SSD, y las cosas aún podrían mejorar gracias a la irrupción de Seagate en el segmento de las memorias de estado sólido de consumo. La compañía estadounidense, que hasta ahora había centrado sus esfuerzos en los discos duros híbridos y las SSDs profesionales, se ha aliado con la firma de diseño de controladores DensBits para ofrecer discos SSD como los que reclama el consumidor de a pie, aunando "bajo coste y altas prestaciones" en una nueva serie de unidades con memorias de 3 bits por celdas en los modelos convencionales y de 2 bits por celda en los profesionales.

Hasta aquí, las buenas noticias. La mala es que Seagate ni siquiera ha tenido a bien contarnos cuándo piensa lanzar estas primeras unidades SSD económicas, pero el detalle de que piensa adquirir una participación en DensBits posiblemente significa que esta alianza no será algo puntual, sino el punto de partida de una estrategia que se desarrollará a más largo plazo.

Investigadores desarrollan chips de ReRAM, más rápidos que la memoria Flash

Seguramente te ha pasado que en importantes momentos en los que necesitas transferir archivos a memorias flash, esos dispositivos parecen funcionar demasiado lento. Pues no te desesperes, porque pronto remplazaríamos los actuales chips NAND por otros de tecnología ReRAM (Resistive RAM) mucho más veloces. Compañías como Elpida, Sharp y Panasonic ya tendrían chips basados en esta tecnología que permitirá transferir datos a una velocidad 100 veces más rápida que la posible con memorias flash convencionales, según comprobaron investigadores de la University College London.

La memoria ReRAM (Resistive RAM) no es un simple chip de almacenamiento, porque podría usarse también para procesar datos gracias a una característica que les da el nombre de "memristors", y hasta ofrecerían la posibilidad de crear chips transparentes. Estas memorias de óxido de silicio también necesitan menos espacio y electricidad que los chips NAND, haciéndolas ideales para su uso en dispositivos móviles. Sin nada negativo que contarte, seguramente ya estarás salivando y haciendo ruiditos pensando en los primeros productos que la integrarán.

Toshiba anuncia sus nuevas TransMemory-EX, compatibles con USB 3.0

Los frikis de las memorias USB (sabemos que sois unos cuantos los que nos leéis) seguramente recordaran el lanzamiento de las célebres TransMemory de Toshiba allá por 2007. Bien, pues el fabricante japonés se ha dejado caer estos días por Las vegas para presentarnos sus nuevos productos TransMemory-EX, que deberían hacer las delicias de todos aquellos usuarios que requieran velocidad y capacidad.

Estos pendrives USB 3.0 utilizan los nuevos chips de memoria DDR NAND de Toshiba, ofreciendo una velocidad de 220 MB/s en modo de lectura y de 94 MB/s en escritura, lo que en otras palabras quiere decir que corren 22 y 18 veces más respectivamente que los modelos anteriores. Para poner las cosas más claras, 25 GB de vídeo podrían transferirse teóricamente en cuestión de cinco minutos, cuando antes la misma operación hubiera necesitado media hora. Lamentablemente nada se ha dicho por ahora de su precio, así que estas son las únicas cifras que podemos compartir contigo.

Seagate Momentus XT: Ahora con 750 GB de almacenamiento híbrido

Parece mentira, pero ya ha pasado más de un año desde que Seagate lanzó su disco híbrido Momentus XT... lo que implica que ya iba siendo hora de darle un sucesor. La nueva generación mantiene el nombre comercial del modelo, pero aumenta la capacidad de los platos hasta 742 GB, y la parte NAND de la unidad alcanza 8 GB. Otros detalles destacables son el uso de 32 MB de caché y la aparición de un nuevo conector SATA III de 6 Gbps.

En estos momentos no tenemos todavía cifras de rendimiento, pero gracias al uso de esos 8 GB de memoria flash, tu PC será sensiblemente más rápido conforme el sistema "aprenda" qué archivos son los más utilizados y los mueva a la "zona VIP" del disco. Si los discos duros convencionales no te ofrecen el rendimiento que necesitas y las unidades SSD se van totalmente de tu presupuesto, el nuevo Momentus XT ya te está esperando a un precio de 189 dólares en Estados Unidos.

OCZ espera lanzar sus asequibles SSD TLC a comienzos de 2012

Ha llovido ya bastante desde que escuchamos hablar por primera vez de los esperados chips NAND de triple nivel, que por fin, están a punto de materializarse para mayor alborozo de los consumidores. OCZ ha anunciado que espera lanzar la primera unidad SSD con esta tecnología a comienzos del próximo año, consiguiendo una reducción del precio del 30% con respecto a los discos MLC, a su vez más económicos que los SLC. A cambio de un coste más asequible, los consumidores deberán tener en cuenta que la vida útil de estas SSD podría ser de un mínimo de cuatro años, si bien se espera que a lo largo de 2012 aparezcan unidades que deberían funcionar durante el doble antes de dar algún tipo de problema.

Super Talent USB 3.0 Express RC8: pinta de pendrive, prestaciones de SSD

No es la primera vez que Super Talent nos tienta con la velocidad supersónica de sus sistemas de almacenamiento, pero insiste en que ahora tiene las herramientas y los benchmarks para demostrarlo mejor que nunca. Su raudo USB 3.0 RC8 presume de alcanzar tasas de lectura de 270 MB/s y 240 MB/s en escritura (en condiciones óptimas y siempre y cuando el equipo te acompañe, claro). Para ello, bajo su caparazón dispone de un controlador SandForce SSD que aunque es de primera generación, permite el uso simultaneo de 8 canales de memoria NAND. En resumidas cuentas, en realidad que se trata de un disco SSD, aunque en miniatura. Por el momento no hay datos oficiales sobre su precio o su disponibilidad, pero se rumorea que llegará en tamaños de 25, 50 y 100 GB. ¿Llegará a tiempo antes de que se saquen de la manga una versión compatible con Thunderbolt?

[Vía AnandTech, FarEastGizmos]

Buffalo anuncia su SSD de 256 GB e interfaz SATA de 6GBps

El mercado de los SSD acaba de expandirse aún poco más con la presentación hace apenas unos instantes de un nuevo ahijado de Buffalo. La unidad en cuestión se denomina N256S/MC400, cuenta con 256 GB de almacenamiento, interfaz SATA de 6 GBps y memoria NAND Flash de células multinivel. Con respecto a sus tasas de transferencia, su ficha técnica arroja unas velocidades de 405 MB/s en lectura y 223 MB/s en escritura. ¿Pensando en que es justo lo que necesitas para dar un empujoncito extra a tu ordenador? En ese caso debes saber que ya puedes ir concertando una cita con tu importador de confianza, pues se pondrá a la venta en Japón esta misma semana por un precio equivalente a 882 dólares/624 euros.

[Vía Akihabara News]

TMS RamSan-70 "Gorilla", nueva SSD de alto rendimiento con transferencias de hasta 2 GBps

Texas Memory Systems ha presentado estos días su nueva apuesta para el mercado SSD, la RamSan-70, una tarjeta PCIe que presume triplicar la velocidad de sus contrincantes, pero midiendo tan solo la mitad. Está disponible en versiones de entre 450 y 900 GB (apodada "Gorilla"), con memoria flash NAND SLC de alta velocidad y la promesa de una increíble tasa de transferencia externa sostenida de hasta 2 GB por segundo. Por si esto fuera poco, sus creadores le auguran una vida útil de entre 6 y 10 años, siendo su cometido principal instalarse en servidores de gama alta -aunque sabemos que no te importaría hacerle un hueco en tu sobremesa si pudieras permitirte una. El problema es que por el momento su precio es todo un misterio y teniendo en cuenta su carta de presentación, ya puedes irte mentalizando de que no será precisamente barata cuando llegue a las tiendas dentro de unas cuatro u ocho semanas.

[Vía Computerworld]

Más rumores sobre la nueva consola de Nintendo: 8 GB de memoria interna y discos de 25 GB


Los rumores sobre las supuestas características técnicas de la sucesora de la Wii no dejan de llegar, y tal es su flujo, que para cuando Nintendo quiera correr el telón la sorpresa estará en el nombre. O tal vez ni eso. A las informaciones sobre su mando-pantalla, potencia gráfica y fecha de lanzamiento se suman ahora dos nuevos datos de gran importancia: la capacidad de almacenamiento interna, y el tamaño de los discos.

Según afirma saber Kotaku, el Project Cafe, que es el nombre en clave de esta máquina todavía por bautizar oficialmente, equipará unos escuetos 8 GB de memoria flash, dejando los discos duros de platos y alta capacidad para la competencia. En comparación con los misérrimos 512 MB de la Wii puede parecer una barbaridad, pero si los ponemos frente a los 250 GB de una Xbox 360 o a los 320 de una PS3, está claro que no sólo Nintendo quiere volver a ahorrar en medida de lo posible, sino que no parece que esté interesada en la venta de juegos "completos" vía internet. Habrá espacio para juegos pequeñitos, partidas salvadas, algún que otro parche... y parece que puedes dejar de contar.

Por otro lado, los discos que utilizará la consola tendrán una capacidad de 25 GB, triplicando la capacidad de los DVD de Xbox 360, y quedando muy cerca de los Blu-ray de una sola capa usados por la PS3. Lo que irremediablemente da pie a la pregunta: ¿estaremos hablando de un formato estándar tipo BR o de un nuevo disco propietario al estilo GC con el que evitar, o al menos mitigar la piratería? La respuesta a estas y otras preguntas, el 7 de junio, en el E3.

SanDisk y Toshiba anuncian la memoria NAND más pequeña del mundo

¿Recuerdas que te anunciamos que Intel y Micron comenzarían un proceso de fabricación de NAND Flash de 20 nm? Pues bien, no ha pasado mucho tiempo antes de que Sandisk y Toshiba hayan hecho público el primer producto fruto de su acuerdo: se trata de un chip X2 de 19 nm 64 Gb (8 GB), o lo que es lo mismo, la memoria NAND Flash más pequeña del mundo. Entrará en proceso de fabricación durante la segunda mitad del año, pero contarán con la primera muestra este mismo trimestre.

Intel y Micron anuncian un proceso de fabricación de NAND Flash de 20nm

El año pasado quedamos muy asombrados al enterarnos del proceso de fabricación de 25nm, que en estos instantes ha pasado a ser una cosa del pasado debido a un nuevo método aún más sofisticado. Intel y Micron anuncian que han reducido la tecnología de producción de memorias NAND Flash a los 20nm, con lo que ahora comprimirán el espacio de cada placa entre un 30 y 40 por ciento adicional. Esto significa que una placa NAND de 8GB medirá sólo 118 mm2, lo que quiere decir que las SSDs ofrecerán aún más espacio de almacenamiento en un mismo espacio físico. Esperan empezar con la fabricación en masa durante la segunda mitad de 2011, cuando mostrarán un dispositivo de 16GB que permitirá tener SSDs de 128GB del tamaño de un sello de correos.




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