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Toshiba anuncia la creación de nuevos chips DDR NAND de 32nm y 133 Mbps

Aunque no tienen la eficiencia y capacidad de las fabricadas en 25nm, y no llegan a los 400 Mbps que habían planeado, las nuevas memorias DDR NAND de 32 nm y 133 Mbps que ha presentado Toshiba suponen otro empujón más en el avance tecnológico. Estos nuevos chips llegan para competir directamente con la solución de 30nm que Samsung ha utilizado en sus discos SSD de 512 GB y que también podemos ver en el RealSSD C300 de Crucial. De momento no se sabe nada del lanzamiento de estos nuevos chips que alimentarán a los futuros iPods, y mucho menos de su precio, así que no nos queda otra que seguir repasando el panorama tecnológico actual para calmar la espera.

[Vía Electronista]

Toshiba muestra sus nuevas memorias flash de 32nm


Puede que una memoria flash NAND de 32nm no suponga ninguna mejora de prestaciones en cuanto a una de 34nm, sin embargo, Toshiba parece apreciar los pequeños detalles, y presume muy orgulloso sus nuevos chips. Lo curioso es que el fabricante no ha realizado ningún cambio a nivel de estructura respecto a los anteriores chips de 43nm, excepto una "importante mejora", que se hizo en el circuito para mejorar un pequeño margen de escritura.

Los nuevos chips de 32nm también llegarán en paquetes de 4 GB de capacidad como los de 34nm, lo que permitiría más almacenamiento en el mismo espacio. Según Toshiba, la producción de los chips debería comenzar en septiembre de este mismo año y, por si fuera poco, hablan de producir modelos de 20 a 30 nm a finales del 2010.

[Vía Electronista]
[Artículo en inglés]




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