¿Se acerca el final de la Ley de Moore? Dejaremos que el tiempo responda a esta pregunta, pero Intel acaba de realizar hoy un anuncio con el que espera que al menos sea mucho más fácil no quedarse atrás de aquí en adelante. El fabricante de procesadores ha hecho público el primer transistor 3D, que bajo el nombre Tri-Gate, promete usar un 50% menos de electricidad, conducir más corriente, y proporcionar una velocidad de más del 37% si lo comparamos con los transistores 3D actuales, gracias a su diseño vertical con tres lados. Y encima, es más barato en relación a prestaciones, puesto que el coste de producción de las obleas para procesadores sólo sería entre un 2 y un 3 por ciento más elevado.

Según Intel, los nuevos procesadores de 22 nm Ivy Bridge serán los primeros en beneficiarse de los transistores Tri-Gate, entrando en producción durante la segunda mitad del año. Para 2013 llegarán los primeros chips de 14 nm, y ya en 2015, nuestras CPUs estarán fabricadas con tecnología de 10 nm. También es interesante el apunte de que los transistores 3D no solo estarán disponibles en los procesadores más avanzados de Intel, sino también en productos de consumo más asequibles. Según la compañía, su intención es "extenderlos a lo largo y ancho de nuestra línea de producto", lo que implica dispositivos móviles.

Si no entiendes muy bien todo esto que te hemos contado, con los vídeos que tienes tras el salto te quedará mucho más clara la noticia. No te los pierdas.

Científicos de la Universidad Nova de Lisboa han conseguido crear un papel con transistores de efecto de campo (FET) integrados. Este avance permitiría la implementación de pantallas digitales de papel a modo de etiquetas, envases inteligentes, chips de identificación y aplicaciones médicas. Han programado publicar las conclusiones en septiembre, momento en el que estamos seguros que más de una empresa estará interesada en ofrecer una salida comercial a su invención.

[Vía Scientific Blogging]
[Artículo en inglés]