No sabemos qué pensarán los organismos en defensa de la competencia del asunto, pero la voracidad de Intel parece insaciable. En esta ocasión, la víctima caída a golpe de talonario ha sido Wireless Solutions Business (WLS), la división móvil de Infineon, que como sabes, es el creador de los chips base del iPhone 4.

Intel se ha apresurado a afirmar a las autoridades anti-competencia que WSL seguirá funcionando como una empresa independiente que seguirá dando servicio a los dispositivos con ARM (ya sabes, excusatio non petita...). El interés por parte del gigante norteamericano por comprar Infineon reside, como ellos mismos reconocen, en "acelerar 4G LTE" mediante este acuerdo, sin renunciar por ello al WiMAX. Conoceremos más sobre este acuerdo a comienzos del año que viene.

De un tiempo a esta parte, la historia de la RAM ha estado ligada a escándalos y juicios. La primera vez que el departamento de justicia de Estados Unidos denunció a los fabricantes de memoria (allá por 2002), los módulos que tienes sobre estas líneas no estaban ni siquiera en la mente de los ingenieros más cultivados. Siete años después de que Micron destapara la existencia de políticas de fijación de precios y cuatro desde que Samsung enviara a tres directivos a la cárcel y pagara 300 millones de dólares como multa, la Comisión Europea de anti-monopolios vuelve a golpear a los responsables con otra sanción. Aquellos que entonaron el "mea culpa" a tiempo se han salvado de la quema, pero Infineon y Hynix tendrán que apoquinar 57 y 51 millones de euros cada una. Mientras tanto, Samsung debe a la Unión la friolera de 145 millones de euros, que no deja de ser calderilla si tenemos en cuenta las ganancias que ha tenido últimamente.

En el nuevo beta 2.0 del firmware del iPhone, los muchachos de ZiPhone encontraron información sobre el que podría ser el baseband chip del iPhone 3G. El código habla sobre un "SGOLD3", que sería la próxima versión del chip S-GOLD2 de Infineon, presente en el iPhone actual. El fabricante usa el nombre de PMB8878 para el S-GOLD3H, que funciona a 7,2Mbps, con HSDPA, aceleración de video y reproducción multimedia, al igual que el viejo. Entre las mejoras incluye soporte para cámara de hasta 5 megapíxeles (al contrario de la actual de 2), interfaz MMC/SD de 2x y soporte para DVB-H, aunque claro, no quiere decir que el próximo iPhone ofrecerá todas esas cosas. Interesantemente, la velocidad del procesador es la misma. Recalcamos que esta información no ha sido confirmada, pero suena bastante cercana a lo que esperamos en el nuevo teléfono.

[Vía ZiPhone]
[Artículo en inglés]
[Advertencia: enlace a un archivo PDF]

Después de formar equipo con IBM a comienzos de año para crear un semiconductor de 32 nm, Infineon se ha dado la mano con Intel con la intención de fabricar tarjetas SIM de alta densidad. El acuerdo, anunciado hoy en el Cartes Trade Show de París, dará comienzo a una colaboración estratégica gracias a la cual veremos a Infineon produciendo soluciones modulares, mientras que Intel se dedicará a crear memorias de entre 4 y 64 MB. Más específicamente, Infineon proporcionará un microprocesador de seguridad de 32 bits, e Intel pondrá a su disposición lo más avanzado en materia de memoria flash NOR. Aparentemente, las nuevas tarjetas, a las cuales deberemos empezar a llamar HD SIM, están diseñadas especialmente para su uso con aplicaciones móviles de procesamiento intensivo de datos, servicios y descargas mediante las redes de telefonía.

Según la consultora Frost & Sullivan, se espera que las tarjetas HD SIM tengan entre el seis y el ocho por ciento del mercado SIM en 2010, aunque las primeras unidades de prueba deberían estar disponibles durante el segundo trimestre del año que viene. La producción en masa dará comienzo sensiblemente más tarde, en la primera mitad de 2009.

[Vía EETimes]
[Artículo en inglés]