Seguramente te ha pasado que en importantes momentos en los que necesitas transferir archivos a memorias flash, esos dispositivos parecen funcionar demasiado lento. Pues no te desesperes, porque pronto remplazaríamos los actuales chips NAND por otros de tecnología ReRAM (Resistive RAM) mucho más veloces. Compañías como Elpida, Sharp y Panasonic ya tendrían chips basados en esta tecnología que permitirá transferir datos a una velocidad 100 veces más rápida que la posible con memorias flash convencionales, según comprobaron investigadores de la University College London.

La memoria ReRAM (Resistive RAM) no es un simple chip de almacenamiento, porque podría usarse también para procesar datos gracias a una característica que les da el nombre de "memristors", y hasta ofrecerían la posibilidad de crear chips transparentes. Estas memorias de óxido de silicio también necesitan menos espacio y electricidad que los chips NAND, haciéndolas ideales para su uso en dispositivos móviles. Sin nada negativo que contarte, seguramente ya estarás salivando y haciendo ruiditos pensando en los primeros productos que la integrarán.

El mercado de los SSD acaba de expandirse aún poco más con la presentación hace apenas unos instantes de un nuevo ahijado de Buffalo. La unidad en cuestión se denomina N256S/MC400, cuenta con 256 GB de almacenamiento, interfaz SATA de 6 GBps y memoria NAND Flash de células multinivel. Con respecto a sus tasas de transferencia, su ficha técnica arroja unas velocidades de 405 MB/s en lectura y 223 MB/s en escritura. ¿Pensando en que es justo lo que necesitas para dar un empujoncito extra a tu ordenador? En ese caso debes saber que ya puedes ir concertando una cita con tu importador de confianza, pues se pondrá a la venta en Japón esta misma semana por un precio equivalente a 882 dólares/624 euros.

[Vía Akihabara News]

Se ha hablado mucho sobre la manera en la que Apple ha movido dinero últimamente; en específico, la gente rumorea sobre el destino de una "inversión estratégica" de 3.900 millones de dólares que nadie fuera de la compañía sabe a dónde fue a àrar. Ahora aparece información publicada en el Korea Economic Daily que habla de 7.800 millones de dólares invertidos en componentes provenientes de Samsung, que incluirían pantallas, procesadores de aplicaciones y chips de memoria NAND, que seguramente serán usados en iPhones y iPads. Además indican que con esto Apple se convertiría en el cliente más grande de Samsung, sobreentendiendo que los negocios entre estos dos gigantes de la tecnología no son nuevos, porque ya hemos visto muchos componentes de la empresa coreana en aparatos de la manzanita.

¿No es maravilloso cuando las compañías se ponen a trabajar de la mano para conseguir mejores avances tecnológicos? Las nuevas familias decididas a unirse para mejorar nuestra experiencia informática no son otras que Samsung y Toshiba, quienes, a través de un comunicado de prensa, han anunciado su alianza conjunta para desarrollar nuevas memorias NAND Flash. Los próximos modelos con especificación DDR 2.0 conseguirían así ofrecer una velocidad de transferencia de 400 Mbps, triplicando a los actuales módulos de alto rendimiento presentes en el mercado. Por el momento no es más que el inicio de una nueva etapa, pero dado los pasos de gigante a los que avanza el mercado, no dudamos en que pronto estaremos por aquí anunciándote el lanzamiento de estas dopadas memorias. Tiempo al tiempo.

[En la imagen: Memorias NAND Flash 128 GB de Toshiba]

Todos quisiéramos tener en nuestros portátiles memorias SSD con tanto espacio como los discos duros, pero hasta ahora eso no es posible. Las buenas noticias son que Intel estaría trabajando en el desarrollo de discos de estado sólido de 320GB, y los rumores dicen que estarían listos en cualquier momento. La nueva familia de memorias NAND, con tamaños de 80, 160 y 320GB se llamaría Postville, y dicen que la primera de las tres sería hasta 100 dólares más barata que los discos X25-M. No hay información concreta sobre el precio de la unidad de 320GB, pero si Intel consigue vender SSD baratas, podríamos empezar a despedirnos de los discos duros mecánicos.

[Artículo en inglés]

Puede que una memoria flash NAND de 32nm no suponga ninguna mejora de prestaciones en cuanto a una de 34nm, sin embargo, Toshiba parece apreciar los pequeños detalles, y presume muy orgulloso sus nuevos chips. Lo curioso es que el fabricante no ha realizado ningún cambio a nivel de estructura respecto a los anteriores chips de 43nm, excepto una "importante mejora", que se hizo en el circuito para mejorar un pequeño margen de escritura.

Los nuevos chips de 32nm también llegarán en paquetes de 4 GB de capacidad como los de 34nm, lo que permitiría más almacenamiento en el mismo espacio. Según Toshiba, la producción de los chips debería comenzar en septiembre de este mismo año y, por si fuera poco, hablan de producir modelos de 20 a 30 nm a finales del 2010.

[Vía Electronista]
[Artículo en inglés]