Aunque las peticiones de los usuarios pasan por una nueva generación de baterías de mayor capacidad, los fabricantes siguen dando vida a nuevos componentes que poco tienen que ver con alargar la autonomía de los dispositivos (al menos de manera directa). En el caso de Samsung, su última creación va relacionada con memorias RAM, ya que el fabricante ha comenzado con la producción de modelos LPDD3 DRAM de 4 Gb fabricados con tecnología de 20 nanómetros. Con estas nuevas unidades el fabricante asegura que se consiguen velocidades de 2.133 Mbps por pin (800 Mbps más que su predecesor) y una bajada del 20% en el consumo, y cuatro de estas unidades ofrecerían un total de 2 GB en tan sólo 0,8 milímetros de grosor. La pregunta que todos nos hacemos ahora es: ¿cuándo las veremos?

Kingston ha dado finalmente luz verde al simpático prototipo que ya pudimos ver este CES, una atractiva fusión de lector de memorias y almacenamiento inalámbrico llamada MobileLite Wireless. Esta unidad está basada en el concepto del Wi-Drive, con la salvedad de que deja atrás el almacenamiento interno para pasar a ofrecer un puerto USB 2.0 y una ranura SD (incluye un adaptador de microSD) para que seas tú quien elija de cuánta capacidad dispones. Al mismo tiempo, su pequeña batería de hasta 5 horas te permitirá recargar tus gadgets mediante su conexión USB -de hecho, el fabricante indica que puede haber suficiente jugo para recargar un teléfono, pero reconoce que probablemente no será suficiente para devolver a la vida a un tablet.

Una vez pones a funcionar el aparato, sólo tienes que conectarte a él y podrás acceder a todos tus ficheros a través de un navegador. En lo que respecta a los dispositivos móvil, iOS tiene la exclusiva, ya que es la única de las plataformas para la cuál puedes descargar aplicación. Esto por supuesto es temporal, ya que Kingston se ha cuidado de indicar que ya trabaja en la creación de apps para Android y Windows Phone 8. Por el momento poco te podemos contar sobre su disponibilidad fuera de Estados Unidos, pero si quieres ir echando cuentas, quédate con que la unidad se comercializará allí en sólo un par de comercios y a un precio que oscilará entre 50 y 70 dólares (o lo que es lo mismo, 38 ó 53 euros al cambio de hoy).

Hasta entonces puedes ir quitándote la espinita con la siguiente selección de imágenes.

Toshiba quiere lanzarse de cabeza a la piscina del 4K y para ello tiene pensado estrenar mañana en Japón un nuevo modelo en su serie Exceria Pro de tarjetas CompactFlash. Dicha unidad se presenta en versiones de 32 y 64 GB, y pueden alcanzar tasas de transferencia de hasta 160 MB/s en lectura y 150 MB/s en escritura gracias al estándar UDMA7 y su propio firmware (de hecho el fabricante saca pecho diciendo que son las más rápidas del momento). Para que te hagas una mejor idea de su potencial, estas tarjetas cuentan además con la certificación "video performance guarantee profile 2" (VPG-65), es decir, que prometen mantener una velocidad de 65 MB/s, de ahí que Toshiba indique que deberían funcionar correctamente con la mayoría de cámaras 4K que dispongan de ranura para este tipo de almacenamiento -y ni que decir tiene que también podrán aguantar bien el ritmo con cualquier captura en RAW o vídeo en alta definición que le pongas por delante. La pega del asunto es que de momento no tenemos noticias de su llegada a otros mercados, así que paciencia.

Samsung sigue empeñada en mejorar las memorias de alta densidad de nuestros equipos su siguiente paso para lograrlo ha sido anunciado hoy mismo. La casa acaba de desvelar que sus memorias NAND flash multinivel de 3 bits, 128 gigabits y 10 nanómetros ya están listas para llegar a producción. Semejante trabalenguas de características viene simplemente a decir que estamos ante unos chips capaces de almacenar mucha más memoria por cada celda, con el plus de contar con un tamaño menor. Según indica el fabricante en la nota de prensa emitida para la ocasión, estas unidades son capaces de soportar hasta 400 Mbps, convirtiéndose en las de mayor densidad de la industria. Su principal salida es instalarse en las tarjetas de memoria de 128 GB y las unidades SSD de la firma surcoreana, pero según sus creadores también podrán adaptarse a cualquier otro equipo que necesite almacenamiento NAND, así que suponemos que en breve las tendremos hasta en la sopa.

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Debemos admitir que las memorias SSD han cambiado nuestra vida con su rapidez y versatilidad, pero también vamos a dejar claro que siguen siendo componentes bastante costosos. Por suerte compañías como Crucial están intentando bajar los precios con productos como la nueva M500 de 2,5 pulgadas, que se venderá en tamaños de hasta 960 GB por un precio de alrededor de 600 dólares. Con esto no decimos que sea económica, sino que es, simplemente, la más barata entre las SSD cercanas a 1 TB.

Esta memoria usa flash MLC NAND de 20 nm de Micron, y es la primera en utilizar chips de 128 GB, que funcionan de maravilla con el controlador SATA de 6 Gb/s. Según Benchmark Reviews las especificaciones se traducen en velocidades de 500 MB/s de lectura y 400 MB/s de escritura, con funcionamiento de 80.000 IOPS.

En general las recomendaciones se resumen en lo dicho por Anandtech, que indica que "si necesitas todo ese espacio y piensas usarlo, la M500 es la única adecuada". A pesar de eso, TechnologyX prefiere el modelo de 480 GB, que se vende por 200 dólares menos, y también recomienda mirar a las M500 de 120 y 240 GB, que pueden conseguirse por 130 y 220 dólares respectivamente. Sea como sea, si todavía no usas una SSD en tu ordenador principal, te recomendamos ahorrar lo más posible para permitirte este importante lujo.

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La molibdenita se presentaba como el enemigo público número uno para el reinado del grafeno, sin embargo, este mineral compuesto por una mezcla de molibdeno y azufre podría finalmente convertirse en el aliado perfecto del que hasta ahora parecía ser el material del futuro. Tal y como han conseguido científicos de la EPFL (Escuela Politécnica Federal de Lausana), la combinación de ambos elementos ha servido para que un chip de memoria ofrezca rendimiento excelentes, ya que el grafeno se encargaría de acelerar las memorias y los electrodos gracias a su alta conductividad, mientras que la molibdenita cambiaría rápidamente los estados eléctricos (lo que conocemos como banda prohibida, algo de lo que carece el grafeno). Teóricamente, este complejo híbrido es más rápido y más eficiente que las memorias actuales basadas en silicio, pero esa sólo sería una de las ventajas, ya que también podría integrarse en diseños flexibles gracias a su naturaleza extrafina. Lamentablemente de momento no hay planes para su comercialización, así que tendremos que seguir aguantando algunos años más con la tecnología actual.

Ingenieros de Macronix han dado con una posible solución con la que acabar con la mayor de las debilidades de las memorias NAND flash. Y es que el soporte de almacenamiento más demandado del momento tiene un grave problema, ya que tras 10.000 ciclos los módulos flash comienzan a fallar y a devolver errores. Sin embargo, los investigadores han decidido aplicar la misma técnica que permite a las memorias de cambio de fase regenerarse tras aplicar calor, así que han diseñado unos nuevos chips que permitan incluir una especie de malla calefactable con la que poder calentar las celdas de memoria, alcanzando los 800º en poco milisegundos y poder así reparar las celdas desgastadas.

Una vez completado el diseño de la memoria, los investigadores pudieron ver como los nuevos chips aguantaban 100 millones de ciclos de borrado/escritura, así como un modo de borrado rápido utilizando altas temperaturas. Además, el equipo explicó que este consumo de energía no se verá reflejado en las baterías de los terminales, ya que esta regeneración no se usará muy a menudo, y cuando se realice el dispositivo podría estar enchufado a la corriente mientras se recarga. De momento los planes de Macronix pasan por presentar la tecnología en la próxima reunión IEEE International Electron, y respecto a la comercialización prefieren no adelantar acontecimientos. No cabe duda que una nueva memoria más resistente y más rápida será recibida con los brazos abiertos, así que ya veremos como evoluciona la tecnología y si finalmente la veremos el próximo año con nosotros.

[Vía PhysOrg]

Samsung ha dado un giro adicional de tuerca en lo que respecta a la producción de chips de memoria, pasando de los procesos de fabricación de 20 a 10 nm. En este sentido, el gigante coreano ha presentado su nuevo chip de almacenamiento en flash de 64 GB eMMC Pro Class 2000, que cuenta con unas dimensiones hasta un 20% inferiores y ofrece un rendimiento un 30% superior. Los chips anteriores de la casa comenzaron a disfrutar de la interfaz eMMC 4.5 de JEDEC hace apenas unos meses, pero Samsung va a abordar al grupo el año que viene de forma que se cree un estándar que pueda gestionar este nuevo diseño.

Esta nueva criatura de los asiáticos cuenta con una velocidad de escritura de 2.000 IOPS (input / output por segundo) y de lectura de 5.000 IOPS, superando los registros de la versión anterior (1.500 / 3.500 respectivamente), al tiempo que incrementa el ancho de banda a los 250 MB/s en lectura y 50 MB/s en escritura. Estos chips comenzaron a fabricarse el mes pasado y los verás en breve en los compactos smartphones y tablets en el mercado.

Lo hemos probado y le hemos visto hacer todo tipo de triquiñuelas. Raspberry Pi es todo un objeto de culto para muchos, y sin embargo, este pequeño objeto de deseo ha despertado no pocas críticas por la escasa (y no ampliable) memoria de 256 MB. Pero sus creadores parecen haber escuchado los lamentos de los usuarios y de hecho, han reconocido que una ampliación de la memoria ha sido "la más común de las sugerencias" hecha por la comunidad del Pi desde sy lanzamiento. Ante esta demanda a gritos, el fabricante de este mini ordenador contaba con la tentadora opción de lanzar al mercado una versión más cara del equipo, pero ha optado por una alternativa que va a gustar mucho a los futuros compradores del Raspberry Pi: aumentar la memoria hasta los 512 MB manteniendo el precio. De hecho, ésta será la memoria estándar para Model B en el futuro, y no sólo eso, sino que aplicarán esta ampliación a todos los pedidos en curso. Tentador ¿eh?

La queja de que los sistemas de archivos desarrollados para el almacenamiento en discos duros no son ideales para uso en memorias NAND flash no es nueva. Es más, en el pasado se han visto soluciones que nunca llegaron a implementarse, pero esperamos que eso cambie, porque hace un par de días el gigante Samsung publicó algo más completo en la lista del kernel de Linux: su nuevo sistema de archivos F2FS (Flash-Friendly File-System). El software ha sido compartido como código abierto para que los hackers del kernel lo puedan usar sin complicaciones legales, y a la vez se explica que F2FS se basa en LFS (Log-structured File System), pero solucionando graves problemas como el uso de recursos durante la limpieza de datos.

El nuevo sistema de archivos añadiría 13.000 líneas de código al kernel, aunque antes de ser incluido deberá pasar el análisis y posterior aprobación. De todas maneras, nos queda la esperanza de que usuarios de dispositivos Android tengan acceso a esta nueva manera de almacenar datos en un futuro no muy lejano.

[Vía Phoronix]

Hoy hemos visto muchos recordatorios relacionados con el primer aniversario de fallecimiento de Steve Jobs, pero el del artista Pritesh Desai podría ser uno de los más interesantes. Desai ha creado un iPod original y totalmente funcional en una página web, usando HTML5, CSS3 y un poquito de JQuery. En semejanza al primer iPod, es posible girar la rueda para navegar por las opciones del menú y usar los distintos botones para seleccionar y hasta reproducir música, relajando así nuestras mentes ahora que empieza el fin de semana.

Lamentablemente no hay una opción para incluir música propia, pero Desai incluyó varias canciones con Creative Commons. La curiosa aplicación web incluye también un reloj, un calendario e información de contacto. Es un homenaje bastante creativo e interesante, además de divertido.

Puedes probar el iPod web siguiendo el primer enlace Leer.

[Vía Gizmodo]

Leer - Inventika Solutions (1)
Leer - Inventika Solutions (2)

Está claro que el mercado tiende con claridad hacia los dispositivos móviles en lo que respecta a la fabricación de memorias DRAM, aunque todavía queda mucho campo para las mejoras tecnológicas en este terreno y para probarlo, Samsung acaba de anunciar la producción en masa de lo que aseguran se trata de la primera DRAM LPDDR3 de 2 GB para dispositivos móviles que permite una transferencia de información que alcanza los 1.600 Mbps (frente a los 1.066 Mbps de su predecesor) y hasta 12,8 GB/s de ancho de banda.

El fabricante ha comenzado también a fabricar unidades de almacenamiento en flash de 128 GB. Así las cosas, la pregunta es obligada: ¿cuándo veremos un smartphone con 2 GB de RAM y 128 GB de almacenamiento? Es difícil saber, pero esto va rápido, muy rápido.

[Vía Sammy Hub]

Leer - Samsung (coreano)
Leer - Samsung Tomorrow (coreano)

La era post-PC es mucho más que una simple expresión creada por analistas y expertos en marketing para llenar folios y vendernos sus notas de prensa. El cambio de paradigma empieza a ser palpable, y si todavía tenías dudas de que el futuro de la informática está cada vez menos en los hogares y más en los bolsillos y mochilas, solo has de considerar que la mayor parte de la demanda mundial de memoria DRAM ya no puede ser atribuida a la venta de ordenadores.

La firma de estudios IHS iSuppli informa que tras años de dominio los equipos de sobremesa y los portátiles tradicionales han pasado a representar el 49% del mercado DRAM, y aunque cada vez se venden más y más módulos de memoria para ordenadores personales, se estima que la demanda para los equipos informáticos tradicionales caerá aproximadamente un 6% entre el segundo trimestre de este año y finales de 2013, cerrando con un 42,8%. Porcentualmente los PCs seguirán acaparando la mayor parte de las ventas por volumen distribuido, pero la tendencia es clara, y señala un panorama a medio plazo que poco tiene que ver con el de hace unos pocos años.

[Vía Reuters]

Por si no tenías suficiente con el extenso catálogo de Samsung, el fabricante ha presentado unos nuevos chips de memoria con los que poder alcanzar un nuevo nivel de rendimiento en dispositivos de pequeñas dimensiones. De nombre desconocido, estas nuevas memorias diseñadas para smartphones y tablets ofrecen un rendimiento de 1.500 IOPS en escritura, alcanzando los 3.500 IOPS de lectura. Esto se traduce en unas transferencias de 140 y 50 MB/s en lectura y escritura respectivamente, todo ello posible gracias al proceso de fabricación de 20 nanómetros, un nuevo controlador DDR 2.0 propio de Samsung y un nuevo estándar de memoria JEDEC con un ancho de banda máximo de 200 MB/s. Las memorias estarán disponibles en versiones de 16, 32 y 64 GB, y la producción en masa ha comenzado ya mismo, por lo que muy pronto podríamos ver los primeros dispositivos con estos chips en su interior. ¿Adivinas quién es uno de los mayores compradores de componentes de Samsung?

Todavía no estamos muy acostumbrados al formato XQD y ya se anuncia un sucesor. Así es, la CompactFlash Association dice que la versión 2.0 de la especificación está casi lista y entre otras cosas permitirá transmitir datos a unos 8 Gb/s al contrario del máximo de 5 Gb/s de la primera generación. La especificación XQD 2.0 todavía no está terminada, pero por ahora se sabe que será necesario tener acceso a un puerto PCI Express 3.0 para que funcione correctamente.

Sony es la compañía que más apoyo está proporcionando para el desarrollo de esta tecnología (apoyo se traduce como "dinero"), pero la asociación dice que agradecen "participación adicional" mientras se dedican a mejorar el estándar. De todas maneras, esperan que la especificación esté terminada para finales de este año, porque aunque las cámara actuales pueden grabar video 1080p en memorias CF o SD sin complicación, sabemos que el futuro nos depara video 4K, que requiere más memoria y velocidad de lo que pueden ofrecer las tarjetas actuales.